Physics of Crystal Growth
Pimpinelli, Villain
Physics of Crystal Growth
Von A. Pimpinelli und J. Villain.
Collection Aléa Saclay, Cambridge University Press, Cambridge 1998. XIX + 377 S., paperback,
ISBN 0-521-55855-7
Die Autoren sind Theoretiker und behandeln die "Physik des Kristallwachstums" weitestgehend aus dem Blickwinkel der Statistischen Physik. Somit geht es im wesentlichen um die Analyse des Kristallwachstums im Ultrahochvakuum, also die Molekular strahl epitaxie. Die meisten sonst in einschlägigen Büchern zu Kristallwachstum oder -züchtung behandelten Phänomene, die mit viskosen Flüssen und drei dimensionalen Kristallen mit Abmessungen wenigstens immm-Bereich zu tun haben, werden in diesem Buch also nur angetippt. Nach den Angaben auf dem Einband sollen die ersten drei Kapitel des Buches (ca. 60 Seiten) Kristalloberflächen im Gleichgewicht gewidmet sein, und zwar sowohl den Flächen an sich als auch der Gestalt eines dreidimensionalen Kristalls. Aber erst im Kapitel 9 ("Silicon and other semiconducting materials") taucht ein Unterkapitel 9.3 "Surface reconstruction" auf. In diesem Kapitel gibt es auch ein Unterkapitel zu binären AB-Verbindungen; über deren Oberflächen rekonstruktion erfährt man aber nichts. Also greift der Experimentator doch lieber zu einem anderen Buch. In den Kapiteln 4 -16 werden grundlegende und auch sehr spezielle Aspekte des Kristallwachstums in bunter Mischung und Tiefe abgehandelt. Der Rezensent hält das abschließende 17. Kapitel ("Technology, crystal growth and surface science") für vollkommen nutzlos, aber immerhin wird der aus insgesamt einer Seite bestehende Abschnitt 17.8 zu "Quantum wells" auch zur Hälfte für die übliche schematische Darstellung einer MBE-Anlage verwendet.
Im übrigen ist die Struktur des Buches auch sonst nur schwer nachzuvollziehen. Erst das Kapitel 5 heißt: "Crystal growth: the abc" und ist eine recht heterogene Mischung verschiedener Aspekte. Sehr häufig wird in späteren Kapiteln wieder auf bereits Behandeltes zurückgegriffen, um es etwas zu vertiefen oder zu quantifizieren. Es gibt rein verbale Unterkapitel, die im wesentlichen nur darauf verweisen, daß es zur konkreten Problematik viele größere Arbeiten gibt; dann gibt es wieder ausgesprochen mathematische Kapitel. Viele konkretere und vertiefende Behand lungen sind in die jedem Kapitel folgenden Abschnitte mit Problemen/Aufgaben verlegt. Solche Probleme lauten dann z.B.: "Schreiben Sie die Burton-Cabrera-Frank-Theorie ohne quasi-statische Näherung und unter Vernachlässigung des Schwoebel-Effektes um für äquidistante Stufen" (Problem 6.1). Dann wird der Formelapparat dafür entwickelt.
In 16 recht ausführlichen Anhängen werden dann sehr spezielle Fragen sehr theoretisch behandelt.
Der Rezensent ist ein experimentell tätiger Kristallzüchter. Er wird nicht recht glücklich mit diesem Buch. Einerseits wünscht er sich ein Buch zu dieser Problematik. Andererseits empfindet er die Behandlung als wenig systematisch, zu subjektiv in der Auswahl und Wichtung der Probleme und zu oft auf allgemeinem theoretischen Niveau angehalten. Der Rezensent hielte eine überarbeitete Fassung, an der ein Experimentator aus der MBE-Szene mitgewirkt hat, für überaus nützlich und wünschenswert. Das Buch in seiner jetzigen Form kann nur eine komplementäre Lektüre darstellen.
Prof. Dr. Klaus Jacobs, Institut für Kristallzüchtung im Forschungsverbund Berlin
| Dieses Buch können Sie direkt bei amazon.de |  | |
