Fraunhofer-IISB setzt auf Sentechs neue ICPECVD Anlage
Vielseitige Niedertemperaturplasmaanlage für Forschung und Dienstleistung.
Das Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB in Erlangen ergänzte seine Ausrüstung um eine flexible, multifunktionale und vollautomatische Beschichtungsanlage aus dem Hause Sentech. Mit dem neuen ICPECVD System kann eine große Auswahl vorgefertigter Substrate mittels eines induktiv gekoppelten plasmagestützten CVD Verfahrens beschichtet werden. In der Anlage wird über eine planare Dreifachspiralantenne (PTSA, planar triple spiral antenna) die Leistung induktiv in das Plasma eingekoppelt und steht dort zur Niedertemperaturbeschichtung zur Verfügung.
Abb.: Die neue vollautomatisierte Beschichtungsanlage SI 500 D im Fraunhofer IISB in Erlangen. (Bild: Sentech)
Insbesondere die Anforderung, die Anlage mit unterschiedlichen Substraten automatisch bestücken zu können, stellte eine große Herausforderung bei der Einrichtung des neuen Systems dar. Bei der jetzigen Realisierung können z. B. dünnere und dickere Siliziumwafer in Kassetten geladen werden und über angepasste Haltersysteme durch Schleusen in den Beschichtungsraum gebracht werden. Darüber hinaus wurde auch der Einsatz von Flüssigprecursoren, bei dem die schichtbildenden Ausgangsstoffe dem Plasma aus der flüssigen Phase über einen Verdampfer zugeführt werden, ermöglicht.
Mit der Anlage wurden mehrere vorentwickelte Prozesse geliefert. So können neben Siliziumoxiden, -nitriden und -carbiden auch andere Oxynitridschichten und insbesondere qualitativ hochwertige TEOS-SiO2 Schichten bei Temperaturen um 130°C deponiert werden. Darüber hinaus wurde die Anlage auch zur Deposition von p- und n-dotierten α-Si-Schichten eingerichtet.
In Zukunft wird die SI 500 D für wissenschaftliche Entwicklungen sowie die Ausweitung der Beschichtungsdienstleistungen in Erlangen zur Verfügung stehen. Dr. Anton Bayer, Leiter der Abteilung Technologie, freut sich über die „zügige und effiziente Einrichtung der neuen Anlage.“ Insbesondere der neue Niedertemperaturprozess zur Abscheidung von Siliziumdioxid- (SiO2-) Schichten aus dem Flüssigprecursor Tetraethoxysilane (TEOS) bedeute einen großen Fortschritt für die Arbeit seiner Abteilung. Die Verwendung von TEOS erlaubt bei der Deposition von silziumhaltigen Schichten den Verzicht auf das gefährliche, da an Luft selbstentzündliche, Silangas.
Das Fraunhofer IISB und die SentechInstruments GmbH verfolgen eine langfristige enge Zusammenarbeit auf dem Gebiet der Schichtdeposition mit induktiv angeregten Plasmen.
Sentech/ LK
