Nitride Semiconductors
Ruterana, Albrecht und Neugebauer
Nitride Semiconductors
Handbook on Materials and Devices
P. Ruterana, M. Albrecht und J. Neugebauer (Hrsg.): Nitride Semiconductors Handbook on Materials and Devices
Wiley-VCH, Weinheim 2003, 686 S., Geb.,
ISBN 3-527-40387-6
Nicht zuletzt als Folge der erfolgreichen technologischen Umsetzung der Nitride in Bauelemente ist die Zahl der Veröffentlichungen auf dem Gebiet dieser Halbleiter in den letzten zehn Jahren quasi explodiert. So ist es für den Neuling auf diesem Gebiet schier unmöglich, sich einen einigermaßen zeitgemäßen Überblick und Einstieg zu verschaffen, genauso wie auch der Fortgeschrittene bei speziellen Problemen schnell ein aktuelles Nachschlagewerk vermisst. Diesen Brückenschlag versuchen die insgesamt 41 Autoren dieses Handbuchs in 13 Kapiteln zu leisten: den derzeitigen Stand der Nitrid-Forschung zu beschreiben, ohne die Grundlagen oder die Historie zu vernachlässigen.
In drei Gruppen gegliedert findet man
so zunächst im ersten Teil bei den ¿Materialeigenschaften¿ (Kap. 1¿6) das Wachstum von GaN-Volumenkristallen unter Hochdruckbedingungen, das für die technologische Entwicklung der Nitride so wichtige Epitaxial Lateral Overgrowth (ELO) Verfahren, die Plasma Assisted MBE (PAMBE) und die Hydride VPE (HVPE). Mit den Kapiteln über InN, dem wohl im Moment am meisten untersuchten und in seinen physikalischen Eigenschaften kontrovers diskutiertem Vertreter der Gruppe-III-Nitride und über die Wachstumskinetik der Nitrid-Oberflächen ist somit die erste Hälfte des Buches konsequent der Materialfrage gewidmet. Der zweite Teil (¿Defekte¿, Kap. 7¿9) schließt direkt an die Materialfrage an und widmet sich ausgiebig sowohl der elektronenmikroskopischen (HREM) Charakterisierung der Defekte wie auch der Stöchiometriebestimmung in Heterostrukturen. Der letzte Teil ¿Bauelemente¿ (Kap. 10¿13) schließlich schlägt einen Bogen ausgehend von ohmschen Kontakten über LED, LD, FET und HBT bis hin zu UV-Photodetektoren, sodass die gesamte Bandbreite der bisher realisierten Strukturen gut strukturiert abgehandelt wird.
Insgesamt kann also das Ziel eines ¿umfassenden Handbuches¿ als erreicht gelten. Ausnahmen sind vor allem ein fehlendes Kapitel über die Metalorganic Vapour Phase Epitaxie (MOVPE) ¿ schließlich die Wachstumsmethode für die Bauelementeproduktion. Auch eine Diskussion der Epitaxie auf Silizium hätte dem Buch gut getan, genauso wie eine kurze Einführung in die in-situ-Kontrollmöglichkeiten des Wachstums. Ein ausführlicherer Index hätte darüber hinaus gerade auch dem Neuling auf dem Gebiet geholfen und ist für ein Handbuch wichtig: Stichworte wie ELO, PAMBE findet man
z. B. nicht.
Trotz dieser Kritikpunkte sollte dieses sehr nützliche Buch aber im Bücherregal des Nitridforschers nicht fehlen, denn es bietet einen hervorragenden Überblick über die Forschungen der letzten Jahre.
Dipl.-Phys. Torsten Schmidtling; Prof. Dr. Wolfgang Richter, Institut für Festkörperphysik TU Berlin
| Dieses Buch können Sie direkt bei amazon.de |  |
