07.07.2003
Complete Guide to Semiconductor Devices
Ng, Kwok K.
Kwok K. Ng - Complete Guide to Semiconductor Devices 
Von Kwok K. Ng. John Wiley & Sons, New York 2002. XXIV + 740 S., 2. Auflage, Hardcover, 109 E. ISBN 0-471-20240-1
Das Buch von Kwok K. Ng bietet dem Leser eine Übersicht von 74 Halbleiter-Bauelementen in mehr als 200 Variationen. Das Spektrum reicht dabei von der konventionellen PN-Diode über Solarzellen bis hin zum Spin-Valve-Transistor. Die Bauelemente werden in Gruppen vorgestellt: Dioden, Widerstands- und kapazitive Devices, Transistoren, nichtflüchtige Speicher, Thyristoren und Power Devices, optische Bauelemente und Sensoren.
Für jedes Bauelement werden die histo rische Entstehung, die Struktur, die elektronischen Eigenschaften sowie Anwendungen diskutiert. Die Kapitel werden durch übersicht liche Grafiken und Tabellen veranschaulicht und durch Referenzen ergänzt, wodurch der Leser schnell detailliertere Informationen zum jeweiligen Bauelement-Typus bekommen kann. Ein Manko ist, dass trotz der großen Anzahl der Referenzen selten aktuelle Übersichtsartikel zitiert werden.
Der auffällig umfangreiche Anhang (ca. 150 Seiten) bietet ein vielfältiges Nachschlagewerk: Man findet sowohl Informationen zu Nicht-Halbleiter-Devices, zu weiteren Anwendungsbereichen der verschiedenen Device-Gruppen, als auch eine Tabellen- und Formelsammlung.
Die große Fülle an Informationen bietet eine gute Übersicht gleichermaßen für den Studenten, der das erste Mal mit der Materie in Kontakt kommt, wie auch für den Experten, der kurz Daten nachschlagen möchte. Dem im Titel genannten Anspruch, eine komplette Übersicht aller heutigen Halbleiter-Bauelemente zu geben, kann das Buch jedoch nur bedingt gerecht werden.
Insbesondere ist das Kapitel über die Feld effekttransistoren in Bezug auf deren technologische Bedeutung zu kurz gehalten. Die Diskussion beschränkt sich dabei auf den Langkanaltransistor, wohingegen die bereits heutzutage relevanten Kurzkanaltransistoren nur am Rande erwähnt werden. Ebenso sucht man vergeblich nach SOI (Silicon-On-Insulator), MOSFETS oder Double-Gate-Transis toren, die in der ITRS (International Tech nology Roadmap for Semiconductors) als mög liche Nachfolger des (aktuellen) Bulk- MOSFETs beschrieben werden.
Zusammenfassend stellt das Buch eine sinnvolle Ergänzung zu bisherigen Standardwerken wie z.B. 'Physics of Semiconductor Devices' von Sze dar, kann diese aber nicht ersetzen.
Dr. Jessica Hartwich, Dr. R. Johannes Luyken, Infineon Technologies, Corporate Research, Nano Devices
Von Kwok K. Ng. John Wiley & Sons, New York 2002. XXIV + 740 S., 2. Auflage, Hardcover, 109 E. ISBN 0-471-20240-1
Das Buch von Kwok K. Ng bietet dem Leser eine Übersicht von 74 Halbleiter-Bauelementen in mehr als 200 Variationen. Das Spektrum reicht dabei von der konventionellen PN-Diode über Solarzellen bis hin zum Spin-Valve-Transistor. Die Bauelemente werden in Gruppen vorgestellt: Dioden, Widerstands- und kapazitive Devices, Transistoren, nichtflüchtige Speicher, Thyristoren und Power Devices, optische Bauelemente und Sensoren.
Für jedes Bauelement werden die histo rische Entstehung, die Struktur, die elektronischen Eigenschaften sowie Anwendungen diskutiert. Die Kapitel werden durch übersicht liche Grafiken und Tabellen veranschaulicht und durch Referenzen ergänzt, wodurch der Leser schnell detailliertere Informationen zum jeweiligen Bauelement-Typus bekommen kann. Ein Manko ist, dass trotz der großen Anzahl der Referenzen selten aktuelle Übersichtsartikel zitiert werden.
Der auffällig umfangreiche Anhang (ca. 150 Seiten) bietet ein vielfältiges Nachschlagewerk: Man findet sowohl Informationen zu Nicht-Halbleiter-Devices, zu weiteren Anwendungsbereichen der verschiedenen Device-Gruppen, als auch eine Tabellen- und Formelsammlung.
Die große Fülle an Informationen bietet eine gute Übersicht gleichermaßen für den Studenten, der das erste Mal mit der Materie in Kontakt kommt, wie auch für den Experten, der kurz Daten nachschlagen möchte. Dem im Titel genannten Anspruch, eine komplette Übersicht aller heutigen Halbleiter-Bauelemente zu geben, kann das Buch jedoch nur bedingt gerecht werden.
Insbesondere ist das Kapitel über die Feld effekttransistoren in Bezug auf deren technologische Bedeutung zu kurz gehalten. Die Diskussion beschränkt sich dabei auf den Langkanaltransistor, wohingegen die bereits heutzutage relevanten Kurzkanaltransistoren nur am Rande erwähnt werden. Ebenso sucht man vergeblich nach SOI (Silicon-On-Insulator), MOSFETS oder Double-Gate-Transis toren, die in der ITRS (International Tech nology Roadmap for Semiconductors) als mög liche Nachfolger des (aktuellen) Bulk- MOSFETs beschrieben werden.
Zusammenfassend stellt das Buch eine sinnvolle Ergänzung zu bisherigen Standardwerken wie z.B. 'Physics of Semiconductor Devices' von Sze dar, kann diese aber nicht ersetzen.
Dr. Jessica Hartwich, Dr. R. Johannes Luyken, Infineon Technologies, Corporate Research, Nano Devices
