Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy - Methods and Applications

Von R. Wiesendanger.
Cambridge University Press, Cambridge 1994. XXII + 637 S., Softcover,.
ISBN 0-521-42847-5

Das neue Buch von R. Wiesendanger - organisiert in zwei Teilen - bietet eine umfassende und sachlich gut geordnete Übersicht über die Entwicklung des gesamten Gebiets der Rastertunnel-, der Rasterkraft- und der damit verwandten neuen Rastermikroskopien.

Im ersten Teil werden die experimentellen Methoden beschrieben - besonders ausführlich die Rastertunnelmikroskopie - mit den dazugehörigen theoretischen Grundlagen. Letztere schließen die Diskussion der Gundlach-Oszillationen, das resonante Tunneln durch Mehrfachbarrieren, die ballistische Elektronenmikroskopie (BEEM) und die spinpolarisierte Rastertunnelmikroskopie (eines der Spezialgebiete des Autors) ein.

Der zweite Teil gibt eine fast vollständige Übersicht über die bis 1994 mit den neuen Mikroskopien erzielten Ergebnisse. Besonders ausführlich beschrieben werden die Beobachtungen an Festkörperoberflächen (insbesondere an Halbleiteroberflächen), aber auch viele Ex pe rimente an Oberflächen organischer Materialien und biologischer Substanzen werden be handelt. Die Nanostrukturierung der Materie bis hin zum Verschieben einzelner Atome von ei nem Platz zu einer wohldefinierten anderen Stel le bilden das Schlußkapitel des zweiten Teils.

Während in den bekannten früher von R. Wiesendanger zusammen mit H. J. Güntherodt herausgegebenen drei Springer-Monographien Scanning Tunneling Microscopy I-III selektiv einige wichtige Kapitel der Tunnelmikroskopie von den Herausgebern und anderen Experten auf insgesamt 900 Seiten ausführlich dargestellt wurden, bemüht sich das neue Buch von R. Wiesendanger mit seinen 637 Seiten auf engerem Raum einen kohärenten Überblick über das Gesamtgebiet der neuen Mikroskopien zu ge ben. Bei der Fülle des bis 1994 existierenden und weitgehend berücksichtigten Materials und angesichts des engen Rahmens mußte auf eine breitere Darstellung der Methoden und auf eine ausführliche Deutung und Bewertung der Er gebnisse an manchen Stellen verzichtet werden. Dafür enthält das Buch aber 350 zum Teil sehr gute Abbildungen, 1200 Literaturzitate und einen Sachindex mit über 1000 Stichworten, so daß der Student oder der akademische Lehrer dort, wo der Text vielleicht etwas knapp er scheint, für ein weiteres Studium und eine eigene Beurteilung meist alle notwendigen Hinweise findet. Hilfreich ist auch eine Tabelle mit 150 in der Oberflächenphysik üblichen Abkürzungen (von AFM über HREELS bis XPS). Zusammenfassend halte ich das neue Buch für ein ausgezeichnetes Nachschlagewerk und eine kompakte gute Informationsquelle über ein im mer noch rasch expandierendes junges Teilgebiet der Oberflächenphysik und Oberflächentechnologie.

K. Dransfeld, Konstanz

Dieses Buch können Sie direkt bei amazon.de