HEMILAS: Spitzenleistung für Industrielaser
Ergebnis aus BMBF-Verbundprojekt: Laserbarren-Serie von Osram OS mit 200 Watt Dauerleistung.
Osram Opto Semiconductors hat die Entwicklung neuer Laserbarren mit einer hohen Effizienz von bis zu 65 Prozent bei gleichzeitig 200 Watt optischer Leistung bekannt gegeben. Ihr Einsatz macht Laser-Systeme künftig einfacher und günstiger. Dies macht sich nun auch Laserline, einer der führenden Hersteller von Diodenlasern für die industrielle Materialbearbeitung, zu nutze.
Abb.: Starke Leistung über zehntausende Stunden – die Laserbarrenserie SPL BKxx-40WFT liefert 200 W im Dauerbetrieb und erreicht Wirkungsgrade von 65 Prozent. (Bild: Osram)
Laserbarren von Osram Opto Semiconductors sind das Herzstück der neuesten und stärksten fasergestützten Diodenlaser-Serie von Laserline. Diese wassergekühlten Komplettsysteme liefern zwischen 2 und 15 Kilowatt (kW) Leistung aus einer Faser mit 1 bis 2 mm Kerndurchmesser Ihre Gesamteffizienz erreicht aufgrund des hohen Wirkungsgrads der eingesetzten Barren Spitzenwerte von über 40 Prozent.
Die Laserbarren-Serie SPL BKxx- 40WFT liefert infrarote Strahlung in verschiedenen Wellenlängen zwischen 915 und 1020 Nanometer (nm). Aufgrund ihrer sehr guten Effizienzwerte von bis zu 65 Prozent erreicht sie hohe Lebensdauern entsprechend den Anforderungen industrieller Lasersysteme.
Neben dem optischen Pumpen von Faserlasern ist die direkte Materialbearbeitung, beispielsweise das Schweißen und Schneiden von Metallen in der Automobilindustrie, eines der Hauptanwendungsgebiete von Infrarotlasern mit über 1 kW Leistung. Direkte Diodenlaser sind die effizienteste Laserlichtquelle für solche fasergekoppelten Systeme und damit eine gute Alternative für die bisher vielfach verwendeten, aber weniger effizienten, Kohlendioxid-Laser.
Michael Klein, Marketing Manager für Laserbarren bei Osram OS, betont: „Unsere Entwicklungen bei den Laserbarren treiben den Einsatz direkter Diodenlaser in immer höhere Leistungsklassen voran und helfen so unseren Kunden, neue Märkte zu erschließen. Die Endanwender profitieren von der verbesserten Technologie unter anderem in Form niedrigerer Investitionskosten, weil nun weniger Laserbarren für die gewünschte Leistung benötigt werden. Außerdem reduzieren sich für sie aufgrund der hohen Effizienzen und Lebensdauern auch die Strom- und Wartungskosten.“
Grundlage für die Entwicklung des Spitzenlasers sind Ergebnisse, die Osram Opto Semiconductors im Rahmen des Projekts HEMILAS erarbeitet hat. Herauszuheben sind hier vor allem eine effizienzoptimierte Struktur der Epitaxie-Schichten und verbesserte Spiegeltechnologien mit hoher Zerstörschwelle.
Das Projekt Hochbrillante Einzelemitter und Miniarrays zum Bau von Diodenlasern für Industrieanwendungen (HEMILAS) wurde vom Bundesministerium für Bildung und Forschung von Februar 2008 bis März 2011 mit über vier Millionen Euro gefördert. Partner in dem Projekt waren neben Osram Opto Semiconductors GmbH die DILAS Diodenlaser GmbH, Jenoptik Laserdiode GmbH, Jenoptik Diode Lab GmbH, Laserline GmbH und m2k-laser GmbH.
Osram / OD
