13.07.2015

Konkurrenz für Graphen

Halbleitende Schichtmaterialien aus Phosphor und Arsen als Alternative zu Silizium.

Seit vielen Jahrzehnten ist Silizium die Basis der modernen Elektronik. Bisher konnte die Silizium-Technik für immer kleinere Geräte immer kleinere Transistoren herstellen, doch die Größe von Silizium-Transistoren stößt langsam an ihre physikalische Grenze. Silizium ist darüber hinaus hart und spröde, doch die Konsumenten hätten gerne flexible Geräte, Geräte, die sich in Kleidung einarbeiten lassen und vieles mehr. All das hat einen Wettlauf um neue Materialien ausgelöst, die Silizium eines Tages ersetzen könnten.

Abb.: Kristalle aus halbleitendem schwarzem Arsen-Phosphor. (Bild: A. Battenberg, TU München)

Ein solches Material könnte Arsen enthaltender schwarzer Phosphor sein. Wie Graphen, das aus einer einzigen Lage von Kohlenstoffatomen besteht, bildet es dünnste Schichten. Die Bandbreite seiner Anwendungen reicht von Transistoren über Sensoren bis hin zu mechanisch-flexiblen Halbleiter-Bauteilen. Anders als beim Graphen, dessen elektronisches Verhalten dem von Metallen ähnelt, verhält es sich wie ein Halbleiter.

In einer internationalen Kooperation unter Beteiligung der TU München und der Uni Regensburg haben Forscher nun erstmals Feldeffekt-Transistoren aus Arsen enthaltendem schwarzem Phosphor hergestellt. Die Verbindungen synthetisierte Marianne Köpf an der TU München. Die von ihr entwickelte neue Methode ermöglicht es, schwarzes Arsen-Phosphor ohne hohen Druck zu synthetisieren. Das erfordert weniger Energie und ist billiger. Über den Arsengehalt kann die Lücke zwischen Valenz- und Leitungsband präzise eingestellt werden. „Das erlaubt es uns, Materialien mit bisher un­er­reich­baren elektronischen und optischen Eigenschaften in einem Energiefenster herzustellen, das bisher nicht zugänglich war“, sagt Tom Nilges, Leiter des Fachgebiets für Synthese und Charakterisierung innovativer Materialien an der TU München.

Bei einem Arsengehalt von 83 Prozent hat das Material eine Bandlücke von nur noch 0,15 Elektronenvolt. Aus einem solchen Material können Sensoren aufgebaut werden, die Wellenlängen im langwelligen Infrarot detektieren. In diesem Bereich arbeiten beispielsweise Lidar-Sensoren. Sie werden unter anderem in Autos als Abstandssensoren eingesetzt. Eine andere Anwendung ist die Messung von Staubteilchen und Spurengasen in der Um­welt­mess­technik. Ein weiterer interessanter Aspekt dieser neuen zweidimensionalen Halbleiter sind ihre anisotropen elektronischen und optischen Eigenschaften. Denn die Materialien zeigen unterschiedliches Verhalten entlang der x- und y-Richtung in der gleichen Ebene. Das Material kann in Schichten abgelöst werden. Die dünnsten bisher erreichten Schichten waren lediglich zwei Atomlagen dick.

TUM / RK

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