Memristoren gezielt kontrollieren
Design-Vorgaben könnten den Weg ebnen für nicht-flüchtige Speicher oder neuro-inspirierte Computer.
Memristoren gelten als vielversprechende Alternative zu herkömmlichen Bauelementen. Aufgrund ihrer besonderen Eigenschaften wird ihre Entwicklung von vielen Unternehmen und Forschungseinrichtungen weltweit verfolgt. Der japanische Elektronikkonzern NEC hat bereits 2017 erste Prototypen in Satelliten eingebaut. Viele andere große Unternehmen wie Hewlett Packard, Intel, IBM und Samsung arbeiten daran, neuartige Rechner- und Speichertypen mit memristiven Elementen auf den Markt zu bringen. Diese sind im Grunde nichts anderes als ein Widerstand mit Gedächtnis, der sich zwischen einem niedrigen und einem hohen Wert hin und her schalten lässt.
Die Bauelemente sind damit prinzipiell lernfähig, ähnlich wie eine Synapse des biologischen Nervensystems. „Memristive Elemente gelten als ideale Kandidaten für neuro-inspirierte Computer nach dem Vorbild des Gehirns, die im Zusammenhang mit Deep Learning und künstlicher Intelligenz großes Interesse wecken“, sagt Ilia Valov vom Peter Grünberg Institut (PGI-7) des Forschungszentrums Jülich. Er und sein Team ermittelten, wie sich die Schalteigenschaften memristiver Bauelemente gezielt beeinflussen lassen. Entscheidender Faktor ist demnach die Reinheit der zentralen Oxidschicht. „Je nachdem, ob man ein 99,999999-prozentig reines Material verwendet, ein Fremdatom in zehn Millionen Atome des reinen Materials einbringt oder ein Fremdatom in hundert Atome, unterscheiden sich die Eigenschaften der memristiven Elemente sehr stark“, sagt Valov.
Dieser Effekt war von der Fachwelt bislang übersehen worden. Er lässt sich gezielt für das Design memristiver Systeme nutzen, ähnlich einer Dotierung von Halbleitern in der Informationstechnologie. „Durch die Einbringung von Fremdatomen beeinflussen wir die Löslichkeit und Transporteigenschaften der dünnen Oxidschichten“, erklärt Christian Neumann vom Technologiekonzern Heraeus. Seit der ersten Idee im Jahr 2015 begleitet er das Projekt mit seiner Materialexpertise. „In den letzten Jahren gab es bei der Anwendung der memristiven Bauelemente bemerkenswerte Fortschritte, die jedoch häufig auf einer rein empirischen Grundlage erzielt wurden“, so Valov. Mithilfe der gewonnenen Einsichten könnten Hersteller nun planvoll memristive Elemente mit den gewünschten Funktionen entwickeln.
Je höher die Dotierung, umso langsamer ändert sich der Widerstand der Elemente mit der Zahl der eingehenden Spannungspulse und umso stabiler bleibt der Widerstand. „Damit haben wir eine Möglichkeit entdeckt, unterschiedlich erregbare Arten von künstlichen Synapsen zu konstruieren“, sagt Valov. Lern- und Merkfähigkeit des Gehirns sind wesentlich darauf zurückzuführen, dass sich die Verbindungen zwischen Nervenzellen sozusagen verstärken, wenn sie häufig genutzt werden. Ein vergleichbares Verhalten zeigen memristive Bauelemente, von denen es unterschiedliche Varianten wie etwa elektrochemische Metallisierungszellen (ECMs) oder Valenzwechsel-Zellen (VCMs) gibt. Bei ihnen erhöht sich die Leitfähigkeit mit der Zahl der eingehenden Spannungspulse. Durch Anlegen von Spannungspulsen gegenläufiger Polarität lassen sich die Veränderungen auch wieder rückgängig machen.
Die Forscher haben ihre systematischen Versuche an ECMs durchgeführt, die aus einer Kupferelektrode, einer Platinelektrode sowie einer dazwischen liegenden Schicht aus Siliziumdioxid bestehen. Dank der Zusammenarbeit mit Heraeus Forschern hatten die Wissenschaftler Zugang zu 99,999999-prozentig reinem Siliziumdioxid – auch als 8N Siliziumdioxid bezeichnet – und zu Siliziumdioxid, das 100 bis 10 000 ppm (parts per million) Fremdatome enthielt. Kupfer und Protonen dienten dabei als mobile Dotierungsmittel, Aluminium und Gallium als nicht-flüchtige Dotierungen.
Die Forscher konnten anhand ihrer Versuchsreihen zeigen, dass sich mit der Menge an Fremdatomen auch die Schaltzeiten der ECMs ändern. Besteht die mittlere Schicht aus 8N Siliziumdioxid, so schaltet das memristive Bauelement in 1,4 Nanosekunden. Bislang betrug der schnellste jemals bei ECMs gemessene Wert etwa zehn Nanosekunden. Indem die Wissenschaftler die Oxidschicht der Bauelemente mit bis zu 10.000 ppm Fremdatomen dotierten, verlängerten sie die Schaltzeit gezielt bis in den Bereich von Millisekunden. „Wir haben für unsere Ergebnisse auch eine theoretische Begründung. Diese öffnet uns die Türe zum Verständnis und zur Nutzung der physikalisch-chemischen Vorgänge auf der Nanoskala“, sagt Valov. Aufgrund von allgemein geltenden theoretischen Überlegungen und experimentellen Ergebnissen ist er überzeugt, dass der Dotierungseffekt nicht nur bei ECMs und VCMs, sondern bei allen memristiven Elementen auftritt.
FZJ / JOL
