Doping in III-V-Semiconductors

Von E. F. Schubert.
Cambridge University Press, Cambridge 1993. XXII + 606 S., Hardcover,
ISBN 0-521-41919-0

Dieses Buch ist eine Monographie für Praktiker auf dem Gebiet der Halbleiterforschung und - wie der Autor selbst sagt - für Materialwissenschaftler, Elektroingenieure, Physiker und Chemiker geschrieben.

In den ersten drei Kapiteln wird der Leser mit den Grundlagen der Quantenmechanik und der Statistik zum Verständnis der Dotierungseffekte vertraut gemacht. Die Behandlung des Themas ist prägnant und einfach. Besondere Aufmerksamkeit wird dem Problem der Dotierung hoher Konzentrationen und tiefer Energieniveaus gewidmet. Eine stärkere Betonung auf den mass action formalism wäre für den Leser hilfreich gewesen. Die Kapitel 4 bis 6 behandeln experimentelle Betrachtungen des Dotierungsprozesses, wobei der Schwerpunkt auf dem Fachgebiet des Autors, der Molekularstrahlepitaxie, liegt. Hier lohnt sich das Lesen, da diese Kapitel viele nützliche Hinweise zu Experimenten, Informationen zu Materialien und den erforderlichen physikalischen und chemischen Background liefern. Einer mehr materialwissenschaftlich und prozeßorientierten Art der Präsentation folgend, handeln die Kapitel 8 bis 11 von der Thermodynamik und Kinetik der Gleichgewichtsverteilung, mit besonderen Typen von Defekten, mit den Besonderheiten von Heterostrukturen und ,,delta doping". Das zwölfte und letzte Kapitel gibt einen kurzen Überblick über charakteristische Techniken.

Vom Standpunkt des Festkörperphysikers oder eines Chemikers aus dem Bereich physikalische Chemie hätte man eine stärker an den Phänomenen orientierte Art der Darstellung erwartet, so wie im Vorwort angekündigt. Dennoch erscheinen Stil, Format und Aufbau logisch und nützlich. Um es kurz zu sagen: ein nützliches und gut geschriebenes Buch zu einem angemessenen Preis.

J. Maier, Stuttgart

Dieses Buch können Sie direkt bei amazon.de