Surface and Thin Film Analysis

Von H. Bubert und H. Jenett (Hg.). Wiley-VCH, Weinheim 2002. XVII + 336 S., 200 Abb., Gebunden,  ISBN 3-527-30458-4
'A Compendium of Principles, Instrumentation, and Applications' - verspricht der Untertitel dieses Buches. Zwanzig Autoren stellen nach Elektronen-, Photonen- und Ionendetektion klassifiziert ca. 45 oberflächenanalytische Verfahren vor (22 davon detaillierter).
Natürlich stellt sich beim Leser als erstes die Frage, wie vollständig solch ein Kompendium wohl ist bzw. nach welchen Kriterien die besprochenen Verfahren ausgewählt wurden. Das ist gerade der aus Sicht des Rezen senten problematische Punkt. So enthält ein Kapitel über Photoelektronenspektroskopie 26 Seiten über Röntgen- (XPS), aber nur eine halbe Seite über Ultraviolett-Photoelektronenspektroskopie (UPS). Besonders uneinheitlich fiel die Auswahl der abbildenden Verfahren aus: Während von den analytischen Elektronenmikroskopieverfahren immerhin Raster elektronenmikroskopie mit energie dispersiver Röntgenmikroanalyse (EDX) und Elektronen energie verlust-Spektros kopie (EELS) jeweils ein ganzes Kapitel gewidmet ist und das Mapping im Kapitel über Auger-Mikrosonden (AES) zumindest erwähnt wird, findet der Leser keinerlei Hinweis auf die wichtigs ten Abbildungsverfahren in der Raster elektronen mikroskopie (SEM, SE- und BE-Modus). Von der Vielzahl der Rastersonden-Verfahren werden immerhin Rastertunnel- (STM) und Rasterkraftmikroskopie (AFM)
besprochen, obwohl man sich im Kontext des Buches zumindest auch ein kurzes Eingehen auf optische Raster-Nahfeld- (SNOM) und Ballistische-Elektronen-Mikroskopie (BEEM) gewünscht hätte. Lobenswert ist dafür die in der Regel recht ordentliche Behandlung vieler ionenstrahlbasierter und kernphysikalische Methoden nutzender Verfahren, die oft nur stiefmütterlich behandelt werden.

Hat man sich mit der sehr subjektiven Auswahl aber abgefunden, so ist das Buch eine Fundgrube insbesondere für denjenigen, der sich schnell über die Möglichkeiten eines ihm bisher unbekannten Verfahrens informieren will. In den allermeisten Fällen wird zunächst kurz das Grundprinzip erklärt. Dem schließt sich eine Besprechung der Gerätetechnik und des instrumentellen Umfelds an. Hier werden oft auch sehr wichtige praktische Tipps für den Anfänger gegeben. Auf Anwendungen wird nur sehr exemplarisch eingegangen, was aber wegen des recht ausführlichen Literaturverzeichnisses (über 850 Zitate, die bis 2001 reichen) wenig stört.

Insgesamt entsteht so in den meisten Fällen beim Leser eine erste und vor allem einigermaßen realistische Vorstellung vom anzunehmenden Aufwand und den zu erwartenden Aussagen. Das dürfte bei der Entscheidung, ob man ein Analyseverfahren anwenden sollte, sehr hilfreich sein.

Mit den zu Beginn gemachten inhalt lichen Abstrichen ist das vorliegende Buch
eine sehr empfehlenswerte Anschaffung, die zumindest in keiner festkörperphysikalisch oder material-wissenschaftlich orientierten Einrichtung fehlen sollte.
Prof. Dr. Michael Hietschold, Physikalisches Institut, TU Chemnitz