Größere Wafer für Leistungshalbleiter
200-Millimeter-Rohlinge aus Siliziumkarbid erreichen Marktreife.
Infineon Technologies hat bei der Umsetzung der 200-Milliemter-Siliziumkarbid (SiC)-Strategie entscheidende Fortschritte erzielt. Das Unternehmen wird bereits im ersten Quartal 2025 die ersten Produkte, die auf der 200-mm-SiC-Technologie basieren, an Kunden ausliefern. Die in Villach gefertigten Produkte bieten erstklassige SiC-Power-Technologie für Hochspannungsanwendungen, darunter erneuerbare Energien, Elektrofahrzeuge, Schnellladestationen und Züge. Auch die Umstellung des Produktionsstandorts in Kulim, Malaysia, von 150-mm-Wafern auf die größeren und effizienteren 200-mm-Wafer verläuft nach Plan.
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Die Umsetzung unserer SiC-Fertigung schreitet wie geplant voran und wir sind stolz auf die ersten Kundenauslieferungen“, sagt Rutger Wijburg von Infineon. „Durch das schrittweise Hochfahren der SiC-Produktion in Villach und Kulim verbessern wir die Kosteneffizienz und sichern weiterhin die Produktqualität. Gleichzeitig erreichen wir, dass die Produktionskapazitäten die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern decken.“
SiC-basierte Leistungshalbleiter können Strom noch effizienter schalten, weisen eine hohe Zuverlässigkeit und Robustheit unter extremen Bedingungen auf und ermöglichen noch kleinere Designs. Mit den SiC-Produkten können energieeffiziente Lösungen für Elektrofahrzeuge, Schnellladestationen und Züge sowie für erneuerbare Energiesysteme und KI-Rechenzentren entwickelt werden. Die Auslieferung der ersten SiC-Produkte, die auf der 200-mm-Wafer-Technologie basieren, ist ein wichtiger Schritt auf der SiC-Roadmap von Infineon, mit dem Ziel, Kunden ein umfassendes Portfolio an Hochleistungshalbleitern zu bieten, die grüne Energie ermöglichen und zur CO2-Reduktion beitragen.
Als „Infineon One Virtual Fab” für hochinnovative Wide-Bandgap-Technologien nutzen die Produktionsstandorte in Villach und Kulim gemeinsame Technologien und Prozesse, die einen schnellen Ramp-up sowie einen reibungslosen und hocheffizienten Betrieb in der SiC- und Galliumnitrid (GaN)-Fertigung ermöglichen. Die 200-mm-SiC-Fertigung ist ein wichtiger Schritt für Infineon als Anbieter von branchenführenden Halbleiterlösungen für Power Systems. Sie stärkt die Technologieführerschaft des Unternehmens im gesamten Spektrum der Leistungshalbleiter von Silizium bis hin zu Siliziumkarbid und Galliumnitrid.
Infineon / JOL
