Scharfer Blick auf Elektron-Loch-Paare
Neuer Einblick in Ladungstransferprozesse an atomar dünner Grenzfläche zwischen zwei Halbleitern.
Um zweidimensionale Materialien für zukünftige Computer- und Photovoltaiktechnologien zu erforschen, haben Forschende der Universitäten Göttingen, Marburg und Cambridge die Bindung zwischen den in Halbleitern enthaltenen Elektronen und Löchern untersucht. Indem sie diese Bindung mit einem speziellen Verfahren aufbrachen, erhielten sie einen mikroskopischen Einblick in Ladungstransferprozesse über eine Halbleitergrenzfläche.
Strahlt Licht auf einen Halbleiter, gibt es Energie an diesen ab. In der Folge bilden sich im Halbleiter negativ geladene Elektronen und positiv geladene Löcher, die sich anschließend paarweise aneinanderbinden. Die Elektron-Loch-Paare – Exzitonen – weisen bei modernen zweidimensionalen Halbleitern eine außerordentlich große Bindungsenergie auf. In ihrer Studie stellten sich die Forschenden der Herausforderung, das Loch eines Exzitons zu untersuchen, wie der Physiker Jan Philipp Bange von der Universität Göttingen erklärt: „In unserem Labor erforschen wir mittels Photoemissionsspektroskopie, wie optische Anregungen in atomar dünnen Halbleitern zu Ladungstransferprozessen führen. Bislang haben wir uns dabei auf Elektronen konzentriert, die wir mit einem Elektronenanalysator messen können. Auf Löcher hatten wir bisher keinen direkten Zugriff. Uns beschäftigte daher die Frage, wie wir nicht nur das Elektron, sondern auch das Loch eines Exzitons charakterisieren können.“
Um diese Frage zu beantworten, nutzten die Forschenden unter der Leitung von Marcel Reutzel und Stefan Mathias ein spezielles Mikroskop für Photoelektronen in Kombination mit einem hoch intensiven Laser. Bei dem Verfahren führt das Aufbrechen eines Exzitons zu einem Energieverlust des im Experiment gemessenen Elektrons. Reutzel erklärt: „Dieser Energieverlust ist charakteristisch für verschiedene Exzitonen, je nachdem, in welcher Umgebung das Elektron und das Loch miteinander wechselwirken.“
In der aktuellen Studie zeigen die Forschenden auf einer Heterostruktur bestehend aus zwei unterschiedlichen atomar dünnen Halbleitern, dass das Loch des Exzitons von einer Halbleiterschicht in die andere transferiert, ähnlich wie in einer Solarzelle. Diesen Ladungstransferprozess konnte die Arbeitsgruppe von Ermin Malic von der Universität Marburg mit einem mikroskopischen Model beschreiben. „In Zukunft wollen wir die spektroskopische Signatur der Wechselwirkung zwischen Elektronen und Löchern nutzen, um neuartige Phasen in Quantenmaterialien zu studieren, und zwar auf ultrakurzen Zeit- und Längenskalen. Derartige Studien können die Grundlage für die Entwicklung neuer Technologien sein und wir hoffen in Zukunft dazu beitragen zu können“, sagt Mathias.
U. Göttingen / JOL
Weitere Infos
- Originalveröffentlichung
J. P. Bange et al.: Probing electron-hole Coulomb correlations in the exciton landscape of a twisted semiconductor heterostructure, Sci. Adv. 10, adi1323 (2024); DOI: 10.1126/sciadv.adi1323 - Ultraschnelle Phänomene (S. Mathias), Fakultät für Physik, Georg-August-Universität Göttingen