Memristor könnte Flash ersetzen
Neues Bauteil auf Perowskit-Basis ermöglicht andere informatische Ansätze.
Die beiden Informatikriesen Intel und HP liefern sich ein Rennen, um Memristoren auf den Markt zu bringen, elektronische Bauteile, die eines Tages Flash-Speicher (DRAM wie USB-Sticks, SD-Karten und SSD-Festplatten) ersetzen könnten. „Grundsätzlich verbrauchen Memristoren weniger Energie, da sie mit geringeren Spannungen arbeiten“, erklärt Jennifer Rupp, vom Departement Materialwissenschaft der ETH Zürich. „Sie lassen sich in wesentlich kleineren Größen bauen als derzeit verfügbare Speicher und bieten damit eine höhere Packungsdichte. Das heißt, es lassen sich viel mehr Megabyte pro Quadratmillimeter aufzeichnen.“ Zurzeit gibt es Memristoren jedoch nur als Prototypen.
Mit Jennifer Rupp und ihrem Kollegen Markus Kubicek ist es nun gelungen, einen Memristor auf der Grundlage einer Perowskit-Schicht von fünf Nanometern herzustellen. Sie haben nachgewiesen, dass dieses Bauteil drei stabile Widerstandszustände besitzt. Somit kann es nicht wie Bits nur 0 und 1 aufzeichnen, sondern auch Dreifachinformationen, die ein „Trit“ bilden. „Unser Bauteil kann auch für eine neue Art von IT von Nutzen sein, die nicht auf einer Binärlogik basiert, sondern auf einer Logik, die Informationen ,zwischen‘ der 1 und der 0 beinhaltet“, fährt Jennifer Rupp fort. „Dies hat interessante Folgen für die sogenannte Fuzzy-Logik, die eine Art Unsicherheit in die numerische Informationsverarbeitung einbringt. Man könnte sie als eine weniger starre Informatik bezeichnen.“
Eine weitere potenzielle Anwendung liegt in der neuromorphen Informatik, die mithilfe elektronischer Elemente zu reproduzieren versucht, wie die Neuronen des Gehirns Informationen verarbeiten. „Die Eigenschaften eines Memristors hängen von der Vorgeschichte ab“, erläutert Jennifer Rupp. „So kann man Neuronen nachahmen, die die Information erst dann übertragen, wenn eine bestimmte Aktivierungsschwelle erreicht ist.“
Dank elektrochemischer Untersuchungen haben die Forschenden an der ETH Zürich vor allem die Funktionsweisen des Bauteils sehr detailliert beschrieben. „Wir konnten die für die Elektrizitätsübertragung zuständigen Elemente identifizieren und so ihre Beziehung zu den drei stabilen Zuständen verstehen“, hält die Physikerin fest. „Es handelt sich um wertvolle Erkenntnisse für die Materialwissenschaft, die zu einem besseren und effizienteren Speicherbetrieb beitragen können.“
Das Prinzip des Memristors wurde bereits 1971 zum ersten Mal als viertes grundlegendes Bauelement elektronischer Schaltungen beschrieben (neben Widerstand, Kondensator und Spule). Seit Beginn des 21. Jahrhunderts gehen Forschende davon aus, dass bestimmte Arten von resistiven Speichern als Memristoren eingesetzt werden könnten.
SNF / PH
