Ultraschnelles Graphen-Wachstum
Wachstumsraten monokristalliner Schichten dank kontinuierlicher Sauerstoffzufuhr um zwei Größenordnungen gesteigert.
Wer die herausragenden Eigenschaften von Graphen für elektronische Anwendungen oder gar Displays nutzen möchte, benötigt möglichst große, monokristalline und defektfreie Graphenfilme. Die einfachste Methode – das Abschälen von einem Graphitblock mit einem Klebefilm – ist dazu nicht geeignet. Die Abscheidung aus einer heißen Methanatmosphäre liefert die gewünschte Qualität, ist mit Wachstumsraten von bis zu einem Mikrometer pro Sekunde aber noch recht langsam und teuer. Doch nun gelang es chinesischen Wissenschaftlern, dieses Produktionsverfahren drastisch auf Wachstumsraten von bis zu 60 Mikrometer pro Sekunde zu beschleunigen.
Abb.: Aus einer Quarzschicht (oben) freigesetzter Sauerstoff beschleunigt die Abscheidung monokristalliner Graphenfilme auf dünnen Kupferfolien (unten) drastisch. (Bild: K. Liu et al., Peking Univ.)
„Unser neues Verfahren erlaubt die Synthese von großen monokristallinen Graphenfilmen in sehr kurzer Zeit und wird definitiv den Weg zu industriellen Anwendungen ebnen“, sagt Kaihui Liu vom State Key Laboratory for Mesoscopic Physics der Peking University. Zusammen mit seinen Kollegen optimierte er das verfügbare chemische Gasphasenabscheidungsverfahren (chemical vapour deposition, CVD) unter besonderer Beachtung einer kontinuierlichen Bereitstellung von Sauerstoff. Denn wie schon frühere Studien gezeigt haben, spielt Sauerstoff eine wesentliche, aber noch nicht völlig verstandene Rolle bei der Graphensynthese. So begünstigt Sauerstoff die Dissoziation von Methanmolekülen und verhindert offenbar eine Zusammenballung von Kohlenstoffatomen zu mehratomigen Lagen.
Liu und Kollegen wählten für die Abscheidung von Graphenfilmen eine dünne Kupferfolie, an der sich zusätzlich Sauerstoffatome ablagerten. Um geringe Sauerstoffmengen während des Wachstums des monokristllinen Graphenfilms kontinuierlich zuzuführen, platzierten sie in einem Abstand von 15 Mikrometern ein Substrat aus Siliziumdioxid. Vorversuche hatten gezeigt, dass die Quarzschicht unter den Wachstumsbedingungen mit Temperaturen über 800 Grad Celsius langsam Sauerstoff freisetzte.
In die Synthesekammer ließen die Forscher darauf ein Gasgemisch aus Methan und Wasserstoff mit einer Rate von fünf Kubikzentimetern pro Minuten einströmen. Auf der dem Quarzsubstrat zugewandten Seite der Kupferfolie bildeten sich extrem schnell innerhalb von fünf Sekunden relativ große, monokristalline Graphenfilme mit einem Durchmesser von etwa 300 Mikrometern. Auf der abgewandten Seite dagegen entstanden in der gleichen Zeit deutlich kleinere und sternförmige Graphenfilme mit Durchmessern von nur 15 Mikrometern. Diesen Unterschied erklärten die Forscher mit der geringen, aber stetigen Sauerstoffzufuhr aus dem Quarzsubstrat.
Nach der Abscheidung kontrollierte Liu die Qualität der Graphenfilme mit mehreren Methoden. Den monokristallinen Aufbau konnte er mit LEED-
Mit diesem optimierten CVD-Verfahren konnten sie die Wachstumsrate von monokristallinen Graphenfilmen mit Durchmessern fast im Millimeter-
Jan Oliver Löfken
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