
Infineon übernimmt Sensor-Geschäft von ams OSRAM
Kaufpreis beträgt 570 Millionen Euro, 230 Mitarbeitende wechseln zu Infineon.

Kaufpreis beträgt 570 Millionen Euro, 230 Mitarbeitende wechseln zu Infineon.

Prototyp belegt Integration eines Stromsensors in ein Leistungsmodul.

Monolithisches Modul mit einer Sperrspannung von 1200 Volt basiert auf GaN-on-Insulator-Technologie.

200-Millimeter-Rohlinge aus Siliziumkarbid erreichen Marktreife.

Infineon erhöht mit einer Dicke von nur 20 Mikrometern die Effizienz von Leistungshalbleiter.

Wichtiger Schritt Richtung Kostengleichheit von Silizium- und Galliumnitrid-Produkten.

Praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter demonstriert.

Ziel ist die Entwicklung stabiler mikroelektronischer Schaltungen für Quantencomputer im industriellen Maßstab.

3D-Druck und Sintern von Gehäusen für leistungselektronische Bauelemente erstmals gelungen.

Verbundprojekt zu sparsamen Leistungshalbleitern gewinnt Silber bei Innovationswettbewerb.

Neues europäisches Forschungsprojekt „Power2Power“ soll Hochleistungshalbleiter voranbringen.

Kooperation mit VW – Infineon baut Fabrik in Österreich.

Galliumnitrid-Schalter als Basis für energiesparende, kompakte und leichte Leistungskonverter.

Größere elektronische Bandlücke erlaubt höhere Betriebstemperaturen als bei konventionellen Halbleitern.

EU-Förderung für weltweit erste Massenproduktion energieeffizienter Leistungshalbleiter.

Auszeichnung für die in Villach entwickelte Methode der Halbleiterfertigung.

Aus einem raumfüllenden Verband isolierter Kristalle entstehen durch Photolithographie und Ätzen neue Ausgangssubstrate für die Mikroelektronik.

Ein internationales Forscherteam erzielt einen Durchbruch im Verständnis des Stromtransports in Hochtemperatur-Supraleitern.

Forscher der Firma Infineon stellten erstmals Leistungs-Transistoren aus winzigen Kohlenstoff-Nanaoröhrchen her.