20.06.2013 • Nachricht • Industrie & Technologie
Millionen für „mehr Power!“
EU-Förderung für weltweit erste Massenproduktion energieeffizienter Leistungshalbleiter.
Suchen nach: Leistungshalbleiter
01.08.2024 • Nachricht • Industrie & Technologie
Leistungshalbleiter fit gemacht
Praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter demonstriert.
17.02.2025 • Nachricht • Industrie & Technologie
Größere Wafer für Leistungshalbleiter
200-Millimeter-Rohlinge aus Siliziumkarbid erreichen Marktreife.
03.09.2021 • Nachricht • Industrie & Technologie
Energie sparen beim Mobilfunk
Verbundprojekt zu sparsamen Leistungshalbleitern gewinnt Silber bei Innovationswettbewerb.
15.03.2013 • Nachricht • Industrie & Technologie
Infineon erhält Österreichischen Staatspreis für Innovation
Auszeichnung für die in Villach entwickelte Methode der Halbleiterfertigung.
11.11.2024 • Nachricht • Industrie & Technologie
Silizium-Wafer werden immer dünner
Infineon erhöht mit einer Dicke von nur 20 Mikrometern die Effizienz von Leistungshalbleiter.
20.05.2019 • Nachricht • Industrie & Technologie
Milliarden für Leistungshalbleiter
Kooperation mit VW – Infineon baut Fabrik in Österreich.
29.06.2022 • Nachricht • Industrie & Technologie
Hüllen für Leistungshalbleiter aus dem 3D-Drucker
3D-Druck und Sintern von Gehäusen für leistungselektronische Bauelemente erstmals gelungen.
Mehr Effizienz und Leistungsdichte
Neues europäisches Forschungsprojekt „Power2Power“ soll Hochleistungshalbleiter voranbringen.
05.02.2026 • Nachricht • Industrie & Technologie
Infineon übernimmt Sensor-Geschäft von ams OSRAM
Kaufpreis beträgt 570 Millionen Euro, 230 Mitarbeitende wechseln zu Infineon.
Schnell und effizient schalten
Galliumnitrid-Schalter als Basis für energiesparende, kompakte und leichte Leistungskonverter.
05.05.2025 • Nachricht • Industrie & Technologie
Kompakter Wechselrichter für Elektroautos
Prototyp belegt Integration eines Stromsensors in ein Leistungsmodul.
02.05.2025 • Nachricht • Industrie & Technologie
Hochspannungsschalter für bidirektionales Laden
Monolithisches Modul mit einer Sperrspannung von 1200 Volt basiert auf GaN-on-Insulator-Technologie.
16.09.2024 • Nachricht • Industrie & Technologie
Weltweit erste 300-Millimeter-Galliumnitrid-Power-Technologie
Wichtiger Schritt Richtung Kostengleichheit von Silizium- und Galliumnitrid-Produkten.
23.10.2023 • Nachricht • Industrie & Technologie
Infineon eröffnet Labor für Quantenelektronik und Power KI
Ziel ist die Entwicklung stabiler mikroelektronischer Schaltungen für Quantencomputer im industriellen Maßstab.
Ströme in Hochtemperatur-Supraleitern
Ein internationales Forscherteam erzielt einen Durchbruch im Verständnis des Stromtransports in Hochtemperatur-Supraleitern.
Nanotubes für höchste Leistungen
Forscher der Firma Infineon stellten erstmals Leistungs-Transistoren aus winzigen Kohlenstoff-Nanaoröhrchen her.
Neue Art von Halbleiterstrukturierung
Aus einem raumfüllenden Verband isolierter Kristalle entstehen durch Photolithographie und Ätzen neue Ausgangssubstrate für die Mikroelektronik.
Siliziumkarbid steigert Energieeffizienz
Größere elektronische Bandlücke erlaubt höhere Betriebstemperaturen als bei konventionellen Halbleitern.