
Millionen für „mehr Power!“
EU-Förderung für weltweit erste Massenproduktion energieeffizienter Leistungshalbleiter.

EU-Förderung für weltweit erste Massenproduktion energieeffizienter Leistungshalbleiter.

Praktische Umsetzung einer Aluminiumnitrid-basierten Wertschöpfungskette für Leistungshalbleiter demonstriert.

200-Millimeter-Rohlinge aus Siliziumkarbid erreichen Marktreife.

Verbundprojekt zu sparsamen Leistungshalbleitern gewinnt Silber bei Innovationswettbewerb.

Investition im Umfang von 5 Milliarden Euro zur Stärkung der Fertigungsbasis für hochmoderne Leistungshalbleiter.

Auszeichnung für die in Villach entwickelte Methode der Halbleiterfertigung.

Infineon erhöht mit einer Dicke von nur 20 Mikrometern die Effizienz von Leistungshalbleiter.

Kooperation mit VW – Infineon baut Fabrik in Österreich.

3D-Druck und Sintern von Gehäusen für leistungselektronische Bauelemente erstmals gelungen.

Berliner Deeptech-Startup NextGO Epi ist bislang Europas einziger Hersteller der nächsten Generation von Halbleitern.

Neues europäisches Forschungsprojekt „Power2Power“ soll Hochleistungshalbleiter voranbringen.

Ziel ist die Entwicklung stabiler mikroelektronischer Schaltungen für Quantencomputer im industriellen Maßstab.

Prototyp belegt Integration eines Stromsensors in ein Leistungsmodul.

Galliumnitrid-Schalter als Basis für energiesparende, kompakte und leichte Leistungskonverter.

Kaufpreis beträgt 570 Millionen Euro, 230 Mitarbeitende wechseln zu Infineon.

Ein internationales Forscherteam erzielt einen Durchbruch im Verständnis des Stromtransports in Hochtemperatur-Supraleitern.

Forscher der Firma Infineon stellten erstmals Leistungs-Transistoren aus winzigen Kohlenstoff-Nanaoröhrchen her.

Aus einem raumfüllenden Verband isolierter Kristalle entstehen durch Photolithographie und Ätzen neue Ausgangssubstrate für die Mikroelektronik.

Wichtiger Schritt Richtung Kostengleichheit von Silizium- und Galliumnitrid-Produkten.

Monolithisches Modul mit einer Sperrspannung von 1200 Volt basiert auf GaN-on-Insulator-Technologie.

Größere elektronische Bandlücke erlaubt höhere Betriebstemperaturen als bei konventionellen Halbleitern.

Fraunhofer IAF und Ambibox präsentieren Demonstrator eines bidirektionalen, einphasigen Gleichstrom-Ladegeräts für E-Autos.